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本文標(biāo)題:偏光顯微檢測(cè)時(shí)的晶體接觸

信息分類(lèi):站內(nèi)新聞　新聞來(lái)源：未知發(fā)布時(shí)間：2015-9-27 14:08:15

偏光顯微檢測(cè)時(shí)的晶體接觸

通常我們?cè)谑褂闷怙@微鏡進(jìn)行顯微檢測(cè)研究分析時(shí)，

則主要是根據(jù)兩個(gè)晶體物質(zhì)之間傾斜接觸進(jìn)行的。

在進(jìn)行接觸晶體之產(chǎn)間折射率大的面會(huì)比折射率小的晶

體之上，不會(huì)因?yàn)榻佑|面的平行光照射到接觸面從而進(jìn)

入到介質(zhì)當(dāng)中。

因此兩個(gè)相鄰的傾斜晶體物質(zhì)接觸面，則是概括了晶體

檢測(cè)表面上的突起與晶體單光偏振檢測(cè)晶體表面時(shí)發(fā)現(xiàn)

晶體的表面是光滑的。

而在這種情況下作偏光顯微檢測(cè)的晶體物質(zhì)，則是表面

顯得比較粗糙的呈現(xiàn)麻點(diǎn)的粗糙表面晶質(zhì)。